國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商迎爆發(fā)良機(jī) 行業(yè)回暖催生黃金賽道

開(kāi)源證券最新研報(bào)指出,存儲(chǔ)市場(chǎng)周期已進(jìn)入復(fù)蘇通道。NAND Flash價(jià)格預(yù)計(jì)將于2025年Q2企穩(wěn)回升,DRAM領(lǐng)域則因DDR4產(chǎn)能收縮預(yù)期引發(fā)漲價(jià)行情。在AIDC產(chǎn)業(yè)大周期啟動(dòng)背景下,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)模組廠商迎來(lái)戰(zhàn)略機(jī)遇期。

研報(bào)數(shù)據(jù)顯示,存儲(chǔ)設(shè)備在數(shù)據(jù)中心BOM成本占比已達(dá)40%,預(yù)計(jì)未來(lái)將提升至50%。AI算力爆發(fā)對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)提出新要求,推動(dòng)行業(yè)向高速傳輸、大容量存儲(chǔ)和高集成度方向發(fā)展。

分析師認(rèn)為,隨著全球數(shù)據(jù)量持續(xù)激增,存儲(chǔ)芯片作為數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施核心組件,其戰(zhàn)略?xún)r(jià)值將進(jìn)一步凸顯。國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈有望在本次行業(yè)上行周期中實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與市場(chǎng)份額雙提升。

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2025-07-01
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商迎爆發(fā)良機(jī) 行業(yè)回暖催生黃金賽道
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