iPhone6 Plus存缺陷恐將召回

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，蘋(píng)果最新的iPhone6和iPhone6 Plus智能手機(jī)被發(fā)現(xiàn)有功能缺陷，11月2日一些海外IT新聞網(wǎng)站報(bào)道，有些iPhone6和iPhone6 Plus的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)有問(wèn)題。

Business Insider在10月24日?qǐng)?bào)道，一些128GB版iPhone6 Plus用戶有功能缺陷，當(dāng)用戶在不同應(yīng)用之間切換或者查看通知時(shí)，據(jù)說(shuō)手機(jī)會(huì)莫名其妙地死機(jī)或進(jìn)入重啟怪圈。Apple Insider在10月23日也報(bào)道，一些iPhone6 Plus機(jī)主已經(jīng)更換4部手機(jī)，蘋(píng)果最新的iOS 8.1升級(jí)沒(méi)有修復(fù)這些缺陷。

業(yè)內(nèi)人士指出，考慮到技術(shù)缺陷主要存在于128GB版iPhone6 Plus，問(wèn)題有可能出現(xiàn)在三階儲(chǔ)存單元（TLC）NAND閃存的控制器集成電路。TLC閃存屬于固態(tài)NAND閃存，每個(gè)閃媒單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，相比存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的單階存儲(chǔ)單元（SLC）能多存儲(chǔ)2倍的數(shù)據(jù)，也高于存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的多階存儲(chǔ)單元（MLC）固態(tài)閃存。

此外，TLC閃存更廉價(jià)，但在讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)方面，TLC比SLC和MLC慢。據(jù)報(bào)道，為了節(jié)約成本蘋(píng)果在128GB版iPhone6 Plus和其他一些型號(hào)上使用了TLC閃存。以前，TLC閃存被用于部分iPad平板電腦，而多數(shù)iPhone系列使用更昂貴但更穩(wěn)定的MLC閃存。

網(wǎng)上很多報(bào)道顯示，讀取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC閃存，因此控制器集成電路的問(wèn)題被認(rèn)為是導(dǎo)致缺陷的最可能原因。隨著對(duì)SSD840和840EVO爭(zhēng)議的上升，三星不得不升級(jí)了固件。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，如果TLC閃存是蘋(píng)果手機(jī)缺陷的原因，蘋(píng)果應(yīng)該召回所有產(chǎn)品。

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