長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070?搭載晶棧3.0架構(gòu)

8月3日消息，今日長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）在2022年閃存峰會（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長江存儲上一代產(chǎn)品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計，性能提升的同時功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級產(chǎn)品潛能。

長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070

自2018年問世以來，晶棧?（Xtacking）技術(shù)已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產(chǎn)品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。隨著長江存儲晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產(chǎn)品將為大數(shù)據(jù)、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領(lǐng)域的多樣化應(yīng)用帶來新的機(jī)遇。

經(jīng)歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗，并基于晶棧?技術(shù)成功打造了多款長江存儲系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動通信和其他嵌入式應(yīng)用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產(chǎn)品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評。

“長江存儲自研晶棧?3.0架構(gòu)的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術(shù)對推動3D NAND技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新至關(guān)重要。搭載先進(jìn)的閃存技術(shù)晶棧?3.0平臺，X3-9070是一個關(guān)鍵的行業(yè)里程碑。這也預(yù)示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術(shù)，將有望成為未來的行業(yè)主流?！?/p>

作為一款創(chuàng)新產(chǎn)品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性，并通過美國電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）定義的多項測試標(biāo)準(zhǔn)。

X3-9070具有如下技術(shù)特點：

· 性能：X3-9070實現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲上一代產(chǎn)品實現(xiàn)了50%的性能提升；

· 密度：得益于晶棧?3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量；

· 提升系統(tǒng)級產(chǎn)品體驗：得益于創(chuàng)新的 6-plane設(shè)計，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。

生成海報

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。