10月15日消息（南山）據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電總裁魏哲家昨日對(duì)外強(qiáng)調(diào)，公司將在今年內(nèi)試產(chǎn)3nm制程，使用FinFET架構(gòu)。預(yù)計(jì)到明年下半年，正式量產(chǎn)3nm。
這回?fù)袅酥坝忻襟w認(rèn)為臺(tái)積電3nm明年落空的報(bào)道。
魏哲家說，臺(tái)積電3nm制程獲得了眾多客戶參與，相較于5nm，預(yù)期首年會(huì)有更多新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。
此外，臺(tái)積電將推出3nm的延伸制程N(yùn)3E，將在3nm量產(chǎn)一年后進(jìn)入到生產(chǎn)階段。魏哲家強(qiáng)調(diào)，有信心3nm成為臺(tái)積電大規(guī)模且長(zhǎng)期需求的制程技術(shù)。
據(jù)透露，臺(tái)積電2nm可能采用GAA（環(huán)繞式閘極電晶體）架構(gòu)，預(yù)期在2025年推出。
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