5G旗艦標配LPDDR5，寧配嗎？

2020年5G旗艦手機的標配是什么？密密麻麻的攝像頭，人工智能芯片，Wi-Fi6技術(shù)，屏下指紋識別？最近手機廠商紛紛開麥，表示LPDDR5必須有姓名。

LPDDR，全稱Low Power Double Data Rate，是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標準。而LPDDR5，作為當下最新的內(nèi)存標準，聽起來似乎沒毛病。

畢竟什么億級像素、4K高清視頻、VR游戲等等各種炫酷的5G創(chuàng)新應(yīng)用和交互，都需要高通量的數(shù)據(jù)讀寫與存儲空間來支撐。

而一個有意思的現(xiàn)象是，內(nèi)存升級往往是上游制造商主動發(fā)布新硬件，比如三星公司（Samsung）正在大力宣傳其最新的LPDDR5智能手機，聲稱為5G和AI智能手機做好了準備，而不是被動等待市場的自主進化與選擇。

相繼在存儲上做文章的手機廠商，又在其中扮演了何種角色呢？

5G時代的內(nèi)存和閃存，需要怎樣的超能力？

“請問怎么樣才算對手機存儲入門了？”

“很簡單，你只要把DRAM、NAND、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4x、LPDDR5、eMMC、UFC、uMCP等都學(xué)一遍，就算了解了一點皮毛吧?！?/p>

觀看數(shù)個小時的手機發(fā)布會，小朋友，你是否有很多問號？？

所以，我們今天就試圖抽絲剝繭地解釋這個問題。

我們知道，智能手機的內(nèi)存管理機制和電腦的工作流程其實是差不多的。

閃存ROM就像是一個巨大的蓄水池，里面存儲的都是可以長期存在的資源，拍下的照片、下載的視頻、收發(fā)的文檔等等，都保存在這里。

如果說閃存ROM突顯的是家大業(yè)大的“富有感”，那么閃存RAM就像是家門口的大馬路，是手機芯片和數(shù)據(jù)之間的橋梁，人類發(fā)出的程序和指令都要通過內(nèi)存發(fā)送給處理器（高性能芯片）進行運算，進而再將處理好的數(shù)據(jù)傳送回去。越寬敞的馬路，自然更容易獲得“主播帶你上高速”的爽感。

智能手機的豐富功能，也讓內(nèi)存必須實現(xiàn)“多車道通行”，也就是多任務(wù)同時運行的能力?！扒逭瞎δ堋币脖夭豢缮?，一旦發(fā)現(xiàn)有任務(wù)在道路上停留占道，防止其他應(yīng)用順滑運行，自然也要想辦法關(guān)閉它。這也是許多“XX管家”清理功能所干的事兒。

那么，5G的到來，又給手機內(nèi)存帶來了哪些新的挑戰(zhàn)呢？

首先，是“流量”的增大。5G有著更高的容量和更快的速度，需要處理器完成對內(nèi)存數(shù)據(jù)大通量吞吐的要求。

像是4K視頻傳輸、傳感器交互、智能汽車等AI級能力，內(nèi)存的寫入和讀取效率都直接決定著用于體驗。

其次，為了保證快速的響應(yīng)時間，5G開始應(yīng)用分布式計算，很多數(shù)據(jù)處理也被從中心網(wǎng)絡(luò)下放到了邊緣處理器。尤其是對任務(wù)低時延的考驗，在線游戲、人工現(xiàn)實（AR）和虛擬現(xiàn)實（VR）、自動駕駛，甚至遠程手術(shù)等等。

因此內(nèi)存也開始需要考慮對異構(gòu)數(shù)據(jù)的處理能力，即附加各種計算元素的需求，讓其走到哪里都能夠為高性能處理器提供充沛、通暢的“原料”。

最后，對內(nèi)存能耗的管理效率也需要提升。手機外殼、電池可以維修和更換，但內(nèi)存卻必須擁有高持久性和安全性，至少在換機周期內(nèi)必須足夠堅強。

而當5G與4G融合時，各種傳輸點、傳輸塔和其他網(wǎng)絡(luò)鏈路之間的通信，也增加了對閃存、內(nèi)存等關(guān)鍵元件在耐用性、耐溫性等方面的要求。

因為5G流媒體傳輸會攜帶更多的數(shù)據(jù)（比如高質(zhì)量的視頻），這就要求內(nèi)存到閃存之前要緩沖的幀數(shù)就越多。一些復(fù)雜的智能推斷任務(wù)，也需要更高級別的帶寬，將直接導(dǎo)致壓力和損耗，降低內(nèi)存的壽命。

沒有用戶會愿意購買一臺先天壽命短暫的手機。所以，內(nèi)存的發(fā)展勢必會朝著帶寬更大、功耗更低的方向發(fā)展。

內(nèi)存向何處進化？1+1+1＞3的路線圖

既然內(nèi)存是5G手機的壓力源，那么直接拉升內(nèi)存的技術(shù)高度行不行呢？

近期被不少手機品牌稱為“5G時代旗艦機標配”的LPDDR5，就是在這一指導(dǎo)思想下誕生的。

智能手機通常會會應(yīng)用最新標準的LPDDR產(chǎn)品，按目前的進展也就是第五代LPDDR5；而一些對性能需求不太高的汽車內(nèi)嵌存儲、臺式機等等則可以滯后一點，應(yīng)用成本較低的LPDDR4、LPDDR3等。

相較上一代LPDDR4標準，2019年2月發(fā)布的LPDDR5，支持多Bank Group模式，相當于數(shù)據(jù)傳輸從單車道變?yōu)槎嘬嚨溃黾痈嗟牟⑿袛?shù)據(jù)通路，因此其I/O速度從3200MT/s提升到6400MT/s，直接翻了一倍。

如果匹配高端智能機常見的64bit BUS，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)（相當于12部全高清電影）。大家品品，這才是與5G手機相匹配的內(nèi)存嘛？

除了性能更高之外，到了LPDDR5這一代，其功耗管理水平也提升了。

中國三星官方微博宣稱，相同工作速率下，LPDDR5 比 LPDDR4x 功耗節(jié)省14%。美光也對外表示，其量產(chǎn)的LPDDR5可以讓手機續(xù)航時間延長5%到10%。

另外，LPDDR5 引入了數(shù)據(jù)復(fù)制（Data-Copy）和寫X（Write-X），可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復(fù)制到其它針腳，依靠出色的數(shù)據(jù)傳輸速率提升，可以通過高速運轉(zhuǎn)來充分釋放處理器的性能，讓它以更快的速度處理數(shù)據(jù)，從而更早地進入“睡眠模式”，也就不用長時間、高負荷地工作。

Write-X則減少了SoC芯片和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電，這樣，就讓折疊屏等大尺寸、多任務(wù)的高頻交互協(xié)作在終端成為可能，而不會給手機功耗控制帶來過大的壓力。

所以，由于LPDDR5能以“零時差”的時間來完成數(shù)據(jù)的處理并且存儲，因此在同時運行視頻、游戲、屏幕分享等多個應(yīng)用時，其反應(yīng)也更加從容，從而得以解決卡頓、黑屏等問題。

既然如此，是不是所有內(nèi)存卡都升級成LPDDR5就行了呢？當然不是。三星從2015年開始向LPDDR5過渡，五年時間才推出了第一代相應(yīng)終端，就足以說明問題。

這就要提到第二個限制手機存儲能力進化的技術(shù)，那就是閃存。

大家可能會說，閃存不就是一個存放數(shù)據(jù)的憨憨倉庫嗎，把它做大，做得比友商還大，不就行了？

但問題是，閃存和內(nèi)存是一套基礎(chǔ)建設(shè)，修好了八通道的高速路，但倉庫的進出庫只靠一個行動遲緩的管理員，是不是有點違和了？

所以，從2011年就開始在手機上應(yīng)用的eMMC閃存，全稱embedded Multi Media Card，即“嵌入式多媒體存儲卡”，一種大規(guī)模應(yīng)用在手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格，自然也要跟著發(fā)生進化。

從2016年開始，手機處理器開始支持另一種標準——通用閃存存儲，Universal Flash Storage，簡稱UFS。此后，UFS就開始出現(xiàn)在一眾高端旗艦手機當中。目前最新的UFS 3.0，單通道帶寬可達11.6Gbps，已經(jīng)相繼搭載在三星Note10、魅族16T、iQOO Neo 855等硬件中。

二者的區(qū)別在哪里呢？

簡而言之，eMMC閃存是基于并行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)打造，同一時刻只能執(zhí)行讀或者寫，所以傳輸比較慢；而UFS則基于串行數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，每次只有兩個數(shù)據(jù)通道，傳輸時速吊打eMMC。所以在安裝和打開大型游戲或應(yīng)用時，UFS 2.1的耗時都更短。

所以很多時候LPDDR5常常會和UFS一起出現(xiàn)。

不過，UFS的終端優(yōu)勢釋放，自然也要依靠整體硬件的改變來展現(xiàn)。

這就不得不提到第三個限制技術(shù)——uMCP。

MCP全稱是Multi Chip Package 多芯片封裝，能夠簡化PCB板的結(jié)構(gòu)，從而讓設(shè)計、組裝、測試良率都得以提高。

上一代的封裝技術(shù)eMCP，是將eMMC和低功耗DRAM兩顆芯片高度集成，從而直接降低手機成本，縮短出貨周期，可以說為中低檔智能手機的普及做出了不少貢獻。

既然是成本神器，符合5G手機全面普及的訴求，又順應(yīng)UFS繼承eMMC的趨勢，所以新的封裝技術(shù)uMCP，自然也就取代了eMCP，開始上位了。

（三星宣布量產(chǎn)首批12GB LPDDR4X uMCP芯片）

uMCP結(jié)合LPDDR和UFS，不僅具有高性能和大容量，同時比PoP封裝+分立式eMMC或UFS的解決方案，占用的空間減少了40%。

三星為中端市場推出的12GB uMCP 解決方案，就將顆 24Gb LPDDR4X 芯片與eUFS 3.0 NAND 閃存結(jié)合到一個封裝中，突破了目前的 8GB 封裝限制，可以讓中端智能手機也感受到AI功能、4K視頻等前沿能力。不久前，又宣布交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機的LPDDR5 DRAM 芯片。

不過就在3月11日，三星被美光截胡了，后者打造了業(yè)界首個LPDDR5 DRAM和UFS閃存相結(jié)合的多芯片封裝(uMCP)，速度可達6400Mbps，比前一代接口性能提高50%。

這被看做為解決5G數(shù)據(jù)瓶頸起到至關(guān)重要的作用，比如IHS Markit董事邁克爾楊（Michael Yang）就聲稱，美光科技的uMCP滿足了包括5G在內(nèi)的智能手機當前和新興的需求。

所以說，隨著未來10年5G網(wǎng)絡(luò)的建成和普及，以及智能邊緣設(shè)備的增長，從可視門鈴到自動駕駛汽車，都將刺激對內(nèi)存和存儲的更多需求。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120GB的 NAND。

而uMCP，則是LPDDR5+UFS在5G時代的理想解決方案，三者相結(jié)合，才能真的讓5G手機體驗上升到一個新臺階。

LPDDR5獨領(lǐng)風騷，5G存儲變革卻還在云山之外

既然5G手機在存儲方面的表現(xiàn)，要靠多重技術(shù)的全面迭代，所以我們說，不能看到LPDDR5就自動聯(lián)想到“5G旗艦”，因為實在是言之過早了。

究其原因，主要跟新技術(shù)標準普及所必然面對的瓶頸有關(guān)。

首先，應(yīng)用了LPDDR5的uMCP芯片，生產(chǎn)難度增大，所以生產(chǎn)成本和采購成本都比較高，更適合運用在追求效能的頂級旗艦機種。

2月12日，三星發(fā)布的新一代旗艦智能手機Galaxy S20系列，內(nèi)存就搭載了全球首發(fā)LPDDR5， 5G版本為12GB LPDDR5 RAM。美光LPDDR5采用的是1Y nm光刻技術(shù)，基于UFS的多芯片封裝（uMCP5）技術(shù)應(yīng)用于智能手機。具體表現(xiàn)如何，還有待市場檢驗。

此外，為了滿足更大內(nèi)存、閃存的需求，就需要更強悍的“芯臟”處理器，以及更大的電池容量，來保證足夠的續(xù)航。

這顯然不是一件容易的事，因為盲目加大電池只會讓手機的爆炸風險更高。如何平衡存儲、計算、續(xù)航等綜合體驗，是一件考驗頂層設(shè)計、研發(fā)、權(quán)衡的藝術(shù)，并不是拿一個供應(yīng)鏈解決方案就可以輕松超車的簡單操作。

舉個例子，UFS在存儲文件的打開速度上，和eMMC相比，用戶的感知并沒有特別大的差異，其體驗優(yōu)勢主要在一些100M以上的大型游戲等方面以及文件傳輸上，集成到uMCP上之后，是否能真正轉(zhuǎn)化為消費者真實可感的快樂，顯然離不開PCB設(shè)計、針對性優(yōu)化、實驗室測試、生產(chǎn)線品控等層層把關(guān)。

另外，可以預(yù)見的是，伴隨著中國存儲產(chǎn)業(yè)的進軍，比如長江存儲去年剛剛重建DRAM事業(yè)群，合肥長鑫LPDDR5也在規(guī)劃中，未來這一標準和存儲也將成為中低端手機的標配。

今天被高高舉起的“5G旗艦標配”flag，到底是一口毒奶，還是真實的5G加速器，結(jié)果只能由消費者自己買單來檢驗了。

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