臺積電取得重大突破 1nm以下制程挑戰(zhàn)摩爾定律

近日，臺積電聯(lián)合臺大與美國麻省理工學院（MIT）官方宣布，在1nm以下芯片制程方面取得重大突破。

研究發(fā)現，二維材料結合“半金屬鉍（Bi）”能大幅降低電阻并提高傳輸電流，實現接近量子極限的能效，解決了長期以來二維材料高電阻及低電流等問題，有助實現半導體1nm以下制程挑戰(zhàn)。

該項研究成果，由臺大電機系暨光電所教授吳志毅與臺灣積體電路以及MIT研究團隊共同完成，自2019年開始已經持續(xù)了長達1年多的三方跨國合作，如今終于取得了突破性的研究成果。

吳志毅教授表示，在使用鉍（Bi）作為接觸電極的關鍵結構后，二維材料晶體管的效能不但與硅基半導體相當，還有潛力與目前主流的硅基制程技術相容，有助于未來突破摩爾定律極限。

隨著晶圓單位面積能容納的晶體管數目逐漸逼近主流硅基材料的物理極限，晶體管效能再也無法逐年顯著提升。近年來，科學界也在積極地尋找能取代硅的二維材料，而此次的發(fā)現，無疑給芯片制程技術發(fā)展打了一劑強心針。

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